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时间： 2025-08-04 10:00        

简介：

很多电源设计的新手甚至具有几年经验的工程师，都没有深刻彻底理解 MOS 管的参数含义和特性要点，导致在设计时并没有充分发挥 MOS 的性能达到理想的效率。
本次研讨会将结合东芝具有低导通电阻的 MOSFET 器件，讲解看似基本的 MOS 参数和电源拓扑结构知识，帮助深化理解相关设计要点。
重点讲述电源拓扑结构和设计要点，以及由超 20 年经验的电源设计专家亲授电源设计技巧和注意事项，是本次研讨会两大亮点。
主要干货内容包含：
1. 东芝高低压 MOS 和碳化硅产品
2. 拓扑结构分析
3. 设计要点
4. MOS 参数讲解。
特为工程师，采购，学生，电源爱好者准备，助您们的设计一臂之力！

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演讲专家：刘剑锋

专家职务：分立器件技术部副高级经理

专家简介：

拥有20年半导体产品应用以及相关工作经验，2001年加入东芝，现担任东芝分立器件技术部副高级经理一职。主要负责东芝分立器件的技术推广，专注于工业控制，电力电源，车载，光伏逆变，消费类电子等。

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奖品说明：

积极提问且填写调查问卷的网友，将有20人可得到由贸泽电子提供的三合一数据线。

积极提问且填写调查问卷的网友，将有25人可得到EEPW提供的20元京东E卡。